Lộ thông tin pin Galaxy Z Flip8 khiến người dùng hụt hẫng

Dung lượng pin Galaxy Z Flip8 được cho là không thay đổi so với thế hệ trước, tuy nhiên hiệu suất pin có thể tốt hơn nhờ vi xử lý mới.

Theo những thông tin rò rỉ mới nhất, mẫu điện thoại gập sắp ra mắt là Galaxy Z Flip8 nhiều khả năng sẽ không được nâng cấp dung lượng pin so với thế hệ tiền nhiệm.

Nguồn tin cho biết thiết bị vẫn giữ mức pin 4.300 mAh, tương tự Samsung Galaxy Z Flip 7. Điều này khiến không ít người dùng cảm thấy hụt hẫng, nhất là khi Samsung đã liên tục tăng dung lượng pin trên hai thế hệ gần đây.

Dù vậy, giống như các mẫu smartphone gập dạng vỏ sò khác của Samsung, thiết bị vẫn sử dụng hệ thống hai viên pin hoạt động song song. Tổng dung lượng danh định dự kiến khoảng 4.174 mAh và sẽ được hãng công bố ở mức 4.300 mAh khi ra mắt chính thức.

Sắm Galaxy Z7 Series ưu đãi hấp dẫn tại Minh Tuấn Mobile:

-19%

Samsung Galaxy Z Flip7 12GB 256GB

Sắp về hàng

23,490,000đ28,990,000đ

 

-19%

Samsung Galaxy Z Fold7 12GB 512GB

Sắp về hàng

42,990,000đ52,990,000đ

 

Samsung Galaxy Z Fold7 12GB 256GB

46,990,000đ

 

Thời lượng pin vẫn có thể cải thiện nhờ chip mới

Dù dung lượng pin gần như không thay đổi, thời lượng sử dụng thực tế của Samsung Galaxy Z Flip 8 vẫn có khả năng được cải thiện. Nguyên nhân đến từ con chip mới được cho là sẽ trang bị trên máy: Exynos 2600. Đây là vi xử lý thế hệ mới của Samsung với hiệu suất năng lượng tốt hơn so với các dòng chip trước đây.

Nhờ khả năng tối ưu điện năng, thiết bị có thể mang lại thời gian sử dụng ổn định hơn dù dung lượng pin giữ nguyên. Điều này phần nào giúp bù đắp cho việc không có nâng cấp về phần cứng pin.

Thời điểm ra mắt dự kiến của Galaxy Z Flip 8

Nếu Samsung tiếp tục duy trì chu kỳ ra mắt quen thuộc, Galaxy Z Flip 8 nhiều khả năng sẽ được giới thiệu vào khoảng tháng 7 năm nay cùng thế hệ smartphone gập mới. 

Dù chưa có xác nhận chính thức, những thông tin rò rỉ ban đầu cho thấy Galaxy Z Flip 8 có thể tập trung vào tối ưu hiệu năng và trải nghiệm thay vì chỉ nâng cấp phần cứng đơn thuần.