Galaxy S25 Edge sở hữu chip Snapdragon 8 Elite 8 nhân ép xung như S25 Ultra, hiệu năng mạnh mẽ trong thân máy siêu mỏng chỉ 5.84mm.
Đã có nhiều thông tin về Galaxy S25 Edge: Samsung chính thức nhá hàng mẫu điện thoại này trong sự kiện Unpacked, và kể từ đó, những thông tin rò rỉ về nó liên tục xuất hiện trên các trang tin tức. Trước đây, một số người tin rằng Galaxy S25 Edge có thể sử dụng chip Snapdragon 8 Elite phiên bản bị hạn chế, nhưng kết quả benchmark mới đây đã làm dấy lên nghi ngờ về tin đồn này.
Galaxy S25 Edge đã từng có kết quả benchmark bị rò rỉ trước đây, cho thấy đây có thể là một nguyên mẫu sớm hoặc sử dụng bộ xử lý 7 nhân. Hiện tại, một chiếc Galaxy S25 Edge phiên bản Hàn Quốc, với số model SM-S937N, đã được phát hiện trên Geekbench.
![Galaxy S25 Edge 'mạnh' ngang ngửa Galaxy S25 Ultra]()
Thông tin này cho thấy thiết bị trang bị phiên bản 8 nhân của Snapdragon 8 Elite, và không chỉ vậy, mà còn là biến thể ép xung đặc biệt dành cho Galaxy, cùng một con chip được tìm thấy trong Galaxy S25 Ultra mạnh mẽ.
Điểm hiệu năng đơn nhân và đa nhân mà Galaxy S25 Edge đạt được tương tự với Galaxy S25 Ultra, mặc dù thấp hơn một chút. Có vẻ như sức mạnh sẽ không phải là điểm yếu mà người mua S25 Edge phải đối mặt nếu họ muốn sở hữu một chiếc điện thoại siêu mỏng.
Điều thú vị là Galaxy S25 Edge sẽ xử lý sức mạnh (và nhiệt lượng) từ bộ xử lý mạnh mẽ này như thế nào, vì Galaxy S25 thường có thể bị giảm hiệu năng mặc dù có hệ thống buồng hơi lớn hơn so với người tiền nhiệm.
![Galaxy S25 Edge 'mạnh' ngang ngửa Galaxy S25 Ultra]()
Galaxy S25 Edge dự kiến sẽ được ra mắt sớm, có thể là vào tháng tới. Đây sẽ là một chiếc điện thoại siêu mỏng, dự kiến chỉ dày 5,84 mm, với màn hình 6,7 inch. Chúng ta cũng nghe nói rằng nó có thể trang bị cùng camera chính 200MP như phiên bản Ultra.
Tuy nhiên, thiết bị sẽ không có camera thứ ba và có thể phải hy sinh dung lượng pin để duy trì thiết kế mỏng. Các báo cáo gần đây cho thấy nó có thể đi kèm với pin chỉ 3.900mAh, khá đáng thất vọng.